STD35P6LLF6

分类：功率器件（MOSFET / IGBT）

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发布时间：2021-08-18 18:29

简介：STD35P6LLF6 器件型号：STD35P6LLF6 器件类别：分立半导体    MOS(场效应管)    漏源电压（Vdss）：60V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：35A(Tc) 栅源极阈值电压：2.5V @ 250uA 漏源导通电阻：28mΩ @ 17.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：70W(Tc