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功率器件（MOSFET / IGBT）
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STF13N60M2
分类：功率器件（MOSFET / IGBT）
点击：462
发布时间：2021-08-18 18:32
简介：STF13N60M2 器件型号：STF13N60M2 器件类别：分立半导体 晶体管 漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟
详情 | PRODUCT DETAILS
漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：11A(Tc) 栅源极阈值电压：4V @ 250uA 漏源导通电阻：380mΩ @ 5.5A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：25W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,11A,380mΩ@10V
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 包装说明 | , |
| Reach Compliance Code | compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| Factory Lead Time | 16 weeks |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 |
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