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功率器件（MOSFET / IGBT）
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STFW3N150
分类：功率器件（MOSFET / IGBT）
点击：486
发布时间：2021-08-18 18:44
简介：STFW3N150 器件型号：STFW3N150 器件类别：分立半导体 晶体管 漏源电压（Vdss）：1500V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：9Ω @ 1.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：63W 类型：N沟道 N沟道,150
详情 | PRODUCT DETAILS
漏源电压（Vdss）：1500V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：2.5A 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：9Ω @ 1.3A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：63W 类型：N沟道 N沟道,1500V,2.5A,9Ω@10V
| Brand Name | STMicroelectronics |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 零件包装代码 | TO-3PF |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3 |
| 针数 | 3 |
| Reach Compliance Code | not_compliant |
| ECCN代码 | EAR99 |
| 雪崩能效等级（Eas） | 450 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 1500 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 2.5 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 2.5 A |
| 最大漏源导通电阻 | 9 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PSFM-T3 |
| JESD-609代码 | e3 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 3 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 10 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子面层 | Matte Tin (Sn) - annealed |
| 端子形式 | THROUGH-HOLE |
| 端子位置 | SINGLE |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
| Base Number Matches | 1 |
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