功率器件(MOSFET / IGBT)

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STPSC6H065D

分类:功率器件(MOSFET / IGBT)

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发布时间:2021-08-19 14:45

简介:STPSC6H065D 器件型号:STPSC6H065D 器件类别:分立半导体    二极管    厂商名称:STMICROELECTRONICS 直流反向耐压(Vr):650V 平均整流电流(Io):6A 正向压降(Vf):1.75V @ 6A

详情 | PRODUCT DETAILS

直流反向耐压(Vr):650V 平均整流电流(Io):6A 正向压降(Vf):1.75V @ 6A

Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合
包装说明ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-2
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time14 weeks
应用POWER
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON CARBIDE
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.75 V
JEDEC-95代码TO-220AC
JESD-30 代码R-PSFM-T2
JESD-609代码e3
最大非重复峰值正向电流52 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度175 °C
最低工作温度-40 °C
最大输出电流6 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
最大重复峰值反向电压650 V
最大反向电流60 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1