STTH5R06B-TR

分类：功率器件（MOSFET / IGBT）

点击：470

发布时间：2021-08-19 15:17

简介：STTH5R06B-TR 器件型号：STTH5R06B-TR 器件类别：分立半导体二极管厂商名称：STMICROELECTRONICS 反向恢复时间（trr）：25ns 直流反向耐压（Vr）：600V 平均整流电流（Io）：5A 正向压降（Vf）：2.9V @ 5A 600V 5A

详情 | PRODUCT DETAILS

反向恢复时间（trr）：25ns 直流反向耐压（Vr）：600V 平均整流电流（Io）：5A 正向压降（Vf）：2.9V @ 5A 600V 5A

Brand Name	STMicroelectronics
厂商名称	STMICROELECTRONICS
零件包装代码	DPAK
包装说明	DPAK-3
针数	3
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
Factory Lead Time	11 weeks
其他特性	FREE WHEELING DIODE
应用	HIGH VOLTAGE ULTRA FAST RECOVERY
外壳连接	CATHODE
配置	SINGLE
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1.8 V
JESD-30 代码	R-PSSO-G2
JESD-609代码	e3
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值正向电流	50 A
元件数量	1
相数	1
端子数量	2
最高工作温度	175 °C
最大输出电流	5 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	260
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	600 V
最大反向恢复时间	0.04 µs
表面贴装	YES
端子面层	Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式	GULL WING
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	30

AP6255