功率器件(MOSFET / IGBT)

功率器件(MOSFET / IGBT)

主页  > 产品中心  > 功率器件(MOSFET / IGBT)  > STW15NK90Z

STW15NK90Z

分类:功率器件(MOSFET / IGBT)

点击:505

发布时间:2021-08-19 15:26

简介:STW15NK90Z 器件型号:STW15NK90Z 器件类别:分立半导体    晶体管    厂商名称:STMICROELECTRONICS 漏源电压(Vdss):900V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 150uA 漏源导通电阻:550mΩ @ 7.5A,10V 最大功

详情 | PRODUCT DETAILS

漏源电压(Vdss):900V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):15A(Tc) 栅源极阈值电压:4.5V @ 150uA 漏源导通电阻:550mΩ @ 7.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):350W(Tc) 类型:N沟道 N沟道,900V,15A

Brand NameSTMicroelectronics
是否Rohs认证符合
厂商名称STMICROELECTRONICS
零件包装代码TO-247AC
包装说明FLANGE MOUNT, R-PSFM-T3
针数3
Reach Compliance Codenot_compliant
ECCN代码EAR99
Factory Lead Time12 weeks
其他特性AVALANCHE RATED, HIGH VOLTAGE
雪崩能效等级(Eas)360 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压900 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)15 A
最大漏极电流 (ID)15 A
最大漏源导通电阻0.55 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-247AC
JESD-30 代码R-PSFM-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)300 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)60 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1