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功率器件（MOSFET / IGBT）
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STW70N60DM2
分类：功率器件（MOSFET / IGBT）
点击：517
发布时间：2021-08-19 15:34
简介：STW70N60DM2 器件型号：STW70N60DM2 器件类别：分立半导体 MOS(场效应管) 厂商名称：STMICROELECTRONICS 漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：66A(Tc) 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：42mΩ @ 33A,10V 最
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STW70N60DM2
器件型号：STW70N60DM2
厂商名称：STMICROELECTRONICS
漏源电压（Vdss）：600V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：66A(Tc) 栅源极阈值电压：5V @ 250uA 漏源导通电阻：42mΩ @ 33A,10V 最大功率耗散（Ta=25°C）：446W(Tc) 类型：N沟道 N沟道,600V,66A,42mΩ@10V
| 属性 | 参数值 |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 连续漏极电流（Id）（25°C 时） | 66A(Tc) |
| 栅源极阈值电压 | 5V @ 250uA |
| 漏源导通电阻 | 42mΩ @ 33A,10V |
| 最大功率耗散（Ta=25°C） | 446W(Tc) |
| 类型 | N沟道 |
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