功率器件(MOSFET / IGBT)

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STF18NM80

分类:功率器件(MOSFET / IGBT)

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发布时间:2022-02-26 21:00

简介:STF18NM80 器件型号:STF18NM80 器件类别:分立半导体    晶体管    厂商名称:ST(意法半导体) 漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:295mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°

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漏源电压(Vdss):800V 连续漏极电流(Id)(25°C 时):17A 栅源极阈值电压:5V @ 250uA 漏源导通电阻:295mΩ @ 8.5A,10V 最大功率耗散(Ta=25°C):40W 类型:N沟道 N沟道,800V,17A,295mΩ@10V