STP110N8F6

分类：功率器件（MOSFET / IGBT）

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发布时间：2022-02-27 00:44

简介：STP110N8F6 器件型号：STP110N8F6 器件类别：分立半导体    晶体管    厂商名称：ST(意法半导体) 漏源电压（Vdss）：80V 连续漏极电流（Id）（25°C 时）：110A 栅源极阈值电压：4.5V @ 250uA 漏源导通电阻：6.5mΩ @ 55A,10V 最大功率耗散（Ta=2